| Identifikační kód |
RIV/61388963:_____/12:00385751 |
| Název v anglickém jazyce |
Fifth Stereoactive Orbital on Silicon: Relaxation of the Lowest Singlet Excited State of Octamethyltrisilane |
| Druh |
J - Recenzovaný odborný článek (Jimp, Jsc a Jost) |
| Poddruh |
- |
| Jazyk |
eng - angličtina |
| Obor - skupina |
C - Chemie |
| Obor |
CF - Fyzikální chemie a teoretická chemie |
| Rok uplatnění |
2012 |
| Kód důvěrnosti údajů |
S - Úplné a pravdivé údaje o výsledku nepodléhající ochraně podle zvláštních právních předpisů. |
| Počet výskytů výsledku |
1 |
| Počet tvůrců celkem |
3 |
| Počet domácích tvůrců |
1 |
| Výčet všech uvedených jednotlivých tvůrců |
Josef Michl (státní příslušnost: US - Spojené státy americké, domácí tvůrce: A)
L. Kobr (státní příslušnost: US - Spojené státy americké)
M. K. MacLeod (státní příslušnost: US - Spojené státy americké) |
| Popis výsledku v anglickém jazyce |
We address relaxation pathways in the excited singlet states 5, of saturated molecules, specifically alkylated oligosilanes. Unlike their longer peralkylated homologues, disilanes and trisilanes do not fluoresce even at low temperatures. An examination of the S-1 potential energy surface of Si3Me8 with density functional (TDDFT, LC-TDDFT), and ab initio (RICC2, RIADC(2)) methods with TZVP basis sets revealed only extremely shallow minima in the vicinity of funnels, accounting for the absence of fluorescence, rapid internal conversion, and photoproducts. Relaxed singlet excited state structures either contain one approximately trigonal bipyramidal Si atom or two that are halfway between tetrahedral and trigonal bipyramidal. Four of the ligands are thosethat the Si atom had in the ground state. Natural bond orbital analysis suggests that the fifth one is a nonbonding hybrid orbital of the lone-pair type and size intermediate between valence and Rydberg, with an only very small occupancy |
| Klíčová slova oddělená středníkem |
density-functional theory; polysilane high polymers; zeta valence quality; Gaussian-basis sets; electronic-structure |
| Stránka www, na které se nachází výsledek |
- |
| DOI výsledku |
10.1021/jp3068393 |
| Odkaz na údaje z výzkumu |
- |