Identifikační kód |
RIV/61389005:_____/07:00097603 |
Název v anglickém jazyce |
Influence of substrate bias voltage on structure and properties of hard Si-B-C-N films prepared by reactive magnetron sputtering |
Druh |
J - Recenzovaný odborný článek (Jimp, Jsc a Jost) |
Poddruh |
- |
Jazyk |
eng - angličtina |
Obor - skupina |
B - Fyzika a matematika |
Obor |
BG - Jaderná, atomová a molekulová fyzika, urychlovače |
Rok uplatnění |
2007 |
Kód důvěrnosti údajů |
S - Úplné a pravdivé údaje o výsledku nepodléhající ochraně podle zvláštních právních předpisů. |
Počet výskytů výsledku |
2 |
Počet tvůrců celkem |
4 |
Počet domácích tvůrců |
1 |
Výčet všech uvedených jednotlivých tvůrců |
Vratislav Peřina (státní příslušnost: CZ - Česká republika, domácí tvůrce: A, vedidk: 9699414) J. Houska (státní příslušnost: CZ - Česká republika) S. Potocký (státní příslušnost: CZ - Česká republika) J. Vlček (státní příslušnost: CZ - Česká republika) |
Popis výsledku v anglickém jazyce |
We systematically investigated the effect of the rf induced negative substrate bias voltage, U-b, on characteristics of novel quaternary Si-B-C-N films. The films were deposited on Si(I 00) or glass substrates by reactive de magnetron co-sputtering of silicon, boron and carbon from a single C-Si-B or B4C-Si target in nitrogen-argon gas mixtures at substrate temperatures of 180-350 degrees C. Elemental compositions of the films, their surface bonding structure, and mechanical and electrical properties were primarily controlled by the U-b values, varied from a floating potential (being between -30 and -40 V) to U-b = -700 V The energy and flux of ions bombarding the target and the growing films were evaluated on the basis of the measured discharge characteristics. The films were found to be amorphous with thickness up to 5 gm and density around 2.4 g/cm(.)(3) They exhibited hardness up to 44 GPa, modified Young's modulus between 170 and 280 GPa. |
Klíčová slova oddělená středníkem |
: HIGH-TEMPERATURE DEFORMATION |
Stránka www, na které se nachází výsledek |
- |
Odkaz na údaje z výzkumu |
- |