Zpět na hledáníProperties of thin film silicon, prepared at high growth rate in a wide range of thicknesses (2008)výskyt výsledku
| Identifikační kód | RIV/68378271:_____/08:00320320 |
|---|---|
| Název v anglickém jazyce | Properties of thin film silicon, prepared at high growth rate in a wide range of thicknesses |
| Druh | J - Recenzovaný odborný článek (Jimp, Jsc a Jost) |
| Poddruh | - |
| Jazyk | eng - angličtina |
| Obor - skupina | B - Fyzika a matematika |
| Obor | BM - Fyzika pevných látek a magnetismus |
| Rok uplatnění | 2008 |
| Kód důvěrnosti údajů | S - Úplné a pravdivé údaje o výsledku nepodléhající ochraně podle zvláštních právních předpisů. |
| Počet výskytů výsledku | 3 |
| Počet tvůrců celkem | 6 |
| Počet domácích tvůrců | 6 |
| Výčet všech uvedených jednotlivých tvůrců | Antonín Fejfar (státní příslušnost: CZ - Česká republika, domácí tvůrce: A, vedidk: 3750299) Jan Kočka (státní příslušnost: CZ - Česká republika, domácí tvůrce: A, vedidk: 6810756) Martin Ledinský (státní příslušnost: CZ - Česká republika, domácí tvůrce: A, vedidk: 5056837) Tomáš Mates (státní příslušnost: CZ - Česká republika, domácí tvůrce: A, vedidk: 8470847) Jiří Stuchlík (státní příslušnost: CZ - Česká republika, domácí tvůrce: A, vedidk: 7483155) The-Ha Stuchlíková (státní příslušnost: CZ - Česká republika, domácí tvůrce: A, vedidk: 8509697) |
| Popis výsledku v anglickém jazyce | Preparation of thin film silicon at high growth rate is an important target for its application in solar cells. The properties of hydrogenated microcrystalline silicon, prepared with the help of PECVD multi-hole cathode in a high pressure and depletion regime in a wide range of thicknesses are described in detail. We illustrate the surprising result that we can prepare high growth rate microcrystalline silicon from 0.4 up to 30 ?m thickness without great peel-off problems. The room temperature dark DC conductivity, as well as the crystallinity, increased up to 5 ?m film thickness and then started to decrease again. These results are explained by the initial temperature profiling and a thickness-induced increase of the lateral inhomogeneity. |
| Klíčová slova oddělená středníkem | conductivity; plasma deposition |
| Stránka www, na které se nachází výsledek | - |
| Odkaz na údaje z výzkumu | - |
Údaje o výsledku v závislosti na druhu výsledku
| Název periodika | Journal of Non-Crystalline Solids |
|---|---|
| ISSN | 0022-3093 |
| e-ISSN | - |
| Svazek periodika | 354 |
| Číslo periodika v rámci uvedeného svazku | 19-25 |
| Stát vydavatele periodika | NL - Nizozemsko |
| Počet stran výsledku | 4 |
| Strana od-do | |
| Kód UT WoS článku podle Web of Science | 000256500400084 |
| EID výsledku v databázi Scopus | - |
| Způsob publikování výsledku | - |
| Předpokládaný termín zveřejnění plného textu výsledku | - |
Ostatní informace o výsledku
| Předkladatel | Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. |
|---|---|
| Dodavatel | AV0 - Akademie věd České republiky (AV ČR ) |
| Rok sběru | 2009 |
| Specifikace | RIV/68378271:_____/08:00320320!RIV09-AV0-68378271 |
| Datum poslední aktualizace výsledku | 20.08.2009 |
| Kontrolní číslo | 11359631 |
Informace o dalších výskytech výsledku dodaného stejným předkladatelem
| Dodáno MŠMT v roce 2009 | RIV/68378271:_____/08:00320320 v dodávce dat RIV09-MSM-68378271/01:1 |
|---|---|
| Dodáno GA ČR v roce 2009 | RIV/68378271:_____/08:00320320 v dodávce dat RIV09-GA0-68378271/01:1 |
Odkazy na výzkumné aktivity, při jejichž řešení výsledek vznikl
| Projekt podporovaný AV ČR v programu IA | IAA1010316 - Mikrokrystalické a nanokrystalické polovodiče pro fotoniku:elektronové děje ve škále nanometrů a femtosekund (2003 - 2007) |
|---|---|
| Projekt podporovaný AV ČR v programu IA | IAA1010413 - Nanověda a nanotechnologie se sondovými mikroskopy: od jevů na atomární úrovni k materiálovým vlastnostem (2004 - 2008) |
| Projekt podporovaný AV ČR v programu KA | KAN400100701 - Funkční hybridní nanosystémy polovodičů a kovů s organickými látkami (FUNS) (2007 - 2011) |
| Výzkumný záměr podporovaný AV ČR | AV0Z10100521 - Fyzikální vlastnosti a příprava nanostruktur, povrchů a tenkých vrstev (2005 - 2010) |