Informační systém výzkumu,
vývoje a inovací

Rejstřík informací o výsledcích

Jednoduché vyhledávání

Zpět na hledáníMapping of mechanical stress in silicon thin films on silicon cantilevers by Raman microspectroscopy (2008)výskyt výsledku

Identifikační kód RIV/68378271:_____/08:00320383
Název v anglickém jazyce Mapping of mechanical stress in silicon thin films on silicon cantilevers by Raman microspectroscopy
Druh J - Recenzovaný odborný článek (Jimp, Jsc a Jost)
Poddruh -
Jazyk eng - angličtina
Obor - skupina B - Fyzika a matematika
Obor BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Rok uplatnění 2008
Kód důvěrnosti údajů S - Úplné a pravdivé údaje o výsledku nepodléhající ochraně podle zvláštních právních předpisů.
Počet výskytů výsledku 3
Počet tvůrců celkem 6
Počet domácích tvůrců 6
Výčet všech uvedených jednotlivých tvůrců Antonín Fejfar (státní příslušnost: CZ - Česká republika, domácí tvůrce: A, vedidk: 3750299)
Jan Kočka (státní příslušnost: CZ - Česká republika, domácí tvůrce: A, vedidk: 6810756)
Martin Ledinský (státní příslušnost: CZ - Česká republika, domácí tvůrce: A, vedidk: 5056837)
Tomáš Mates (státní příslušnost: CZ - Česká republika, domácí tvůrce: A, vedidk: 8470847)
Jiří Stuchlík (státní příslušnost: CZ - Česká republika, domácí tvůrce: A, vedidk: 7483155)
Aliaksi Vetushka (státní příslušnost: CZ - Česká republika, domácí tvůrce: A, vedidk: 2171449)
Popis výsledku v anglickém jazyce We have used plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) to deposit silicon thin films (0.2?1 ?m) with different crystallinity fractions on Nanosensors PtIr5 coated atomic force microscopy (AFM) cantilevers (450 x 50 x 2 ?m3). Microscopic measurements of Raman scattering were used to map both internal stress and extrinsic stress induced in the films by bending the cantilevers using a nanomanipulator (Kleindiek Nanotechnik MM3A). Thanks to the excellent elasticity of the cantilevers, the films could be bent to curvature radii down to 300 lm. We observed the stress induced shift of the TO?LO phonon Raman band of more than 3 cm-1 for fully microcrystalline film corresponding to the stress 0.8 GPa. The shift of the similar film with amorphous structure was 2.5 cm-1.
Klíčová slova oddělená středníkem silicon; solar cells; nanocrystals; photovoltaics; Raman scattering; mechanical stress relaxation
Stránka www, na které se nachází výsledek -
Odkaz na údaje z výzkumu -

Údaje o výsledku v závislosti na druhu výsledku

Název periodika Journal of Non-Crystalline Solids
ISSN 0022-3093
e-ISSN -
Svazek periodika 354
Číslo periodika v rámci uvedeného svazku 19-25
Stát vydavatele periodika NL - Nizozemsko
Počet stran výsledku 3
Strana od-do
Kód UT WoS článku podle Web of Science 000256500400038
EID výsledku v databázi Scopus -
Způsob publikování výsledku -
Předpokládaný termín zveřejnění plného textu výsledku -

Ostatní informace o výsledku

Předkladatel Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
Dodavatel AV0 - Akademie věd České republiky (AV ČR )
Rok sběru 2009
Specifikace RIV/68378271:_____/08:00320383!RIV09-AV0-68378271
Datum poslední aktualizace výsledku 20.08.2009
Kontrolní číslo 11359677

Informace o dalších výskytech výsledku dodaného stejným předkladatelem

Dodáno MŠMT v roce 2009 RIV/68378271:_____/08:00320383 v dodávce dat RIV09-MSM-68378271/01:1
Dodáno GA ČR v roce 2009 RIV/68378271:_____/08:00320383 v dodávce dat RIV09-GA0-68378271/01:1

Odkazy na výzkumné aktivity, při jejichž řešení výsledek vznikl

Projekt podporovaný AV ČR v programu IA IAA1010316 - Mikrokrystalické a nanokrystalické polovodiče pro fotoniku:elektronové děje ve škále nanometrů a femtosekund (2003 - 2007)
Projekt podporovaný AV ČR v programu IA IAA1010413 - Nanověda a nanotechnologie se sondovými mikroskopy: od jevů na atomární úrovni k materiálovým vlastnostem (2004 - 2008)
Projekt podporovaný AV ČR v programu KA KAN400100701 - Funkční hybridní nanosystémy polovodičů a kovů s organickými látkami (FUNS) (2007 - 2011)
Projekt podporovaný AV ČR v programu KJ KJB100100512 - Studium ultrarychlé dynamiky volných nositelů v polovodičích pomocí časově rozlišené terahertzové spektroskopie (2005 - 2007)
Výzkumný záměr podporovaný AV ČR AV0Z10100521 - Fyzikální vlastnosti a příprava nanostruktur, povrchů a tenkých vrstev (2005 - 2010)
Vyhledávání ...