Identifikační kód |
RIV/68378271:_____/16:00470666 |
Název v anglickém jazyce |
Time-resolved ion flux and impedance measurements for process characterization in reactive high-power impulse magnetron sputtering |
Druh |
J - Recenzovaný odborný článek (Jimp, Jsc a Jost) |
Poddruh |
- |
Jazyk |
eng - angličtina |
Obor - skupina |
B - Fyzika a matematika |
Obor |
BL - Fyzika plasmatu a výboje v plynech |
Rok uplatnění |
2016 |
Kód důvěrnosti údajů |
S - Úplné a pravdivé údaje o výsledku nepodléhající ochraně podle zvláštních právních předpisů. |
Počet výskytů výsledku |
2 |
Počet tvůrců celkem |
3 |
Počet domácích tvůrců |
2 |
Výčet všech uvedených jednotlivých tvůrců |
Martin Čada (státní příslušnost: CZ - Česká republika, domácí tvůrce: A, vedidk: 9254927) Zdeněk Hubička (státní příslušnost: CZ - Česká republika, domácí tvůrce: A, vedidk: 2296268) D. Lundin (státní příslušnost: FR - Francouzská republika) |
Popis výsledku v anglickém jazyce |
A new planar ion flux probe, based on the Sobolewski method for time-resolved plasma characterization in inherently noisy pulsed plasma discharges, has been developed. The probe was evaluated in a high-power impulse magnetron sputtering (HiPIMS) process, which is a promising ionized physical vapor deposition technique based on pulsed plasma discharges used to engineer thin films with improved properties. Both nonreactive (pure Ar) and reactive (Ar/O-2) deposition processes were investigated using a Ti sputtering target. It was found that the process exhibited a nearly hysteresis-free and stable transition region at the chosen deposition conditions. Time-resolved measurements of the absolute ion flux impinging on the probe placed at the substrate position, as well as of the probe sheath impedance, were recorded in the metal, transition, and compound modes during the HiPIMS pulse. Gradual changes in the measured ion flux were seen when transiting from the metal mode to the compound mode. |
Klíčová slova oddělená středníkem |
radiofrequency current;voltage measurements;energy-distributions;sheath voltages;deposition;density;hysteresis;discharges;films;technology |
Stránka www, na které se nachází výsledek |
- |
DOI výsledku |
10.1116/1.4953033 |
Odkaz na údaje z výzkumu |
- |