Zpět na hledání
| Identifikační kód | RIV/68378271:_____/22:00571425 |
|---|---|
| Název v anglickém jazyce | Two-step deposition of TiN capping electrodes to prevent degradation of ferroelectric properties in an in-situ crystallized TiN/Hf0.5Zr0.5O2/TiN device |
| Druh | J - Recenzovaný odborný článek (Jimp, Jsc a Jost) |
| Poddruh | J/A - Článek v odborném periodiku je obsažen v databázi Web of Science společností Thomson Reuters s příznakem „Article“, „Review“ nebo „Letter“ (Jimp) |
| Jazyk | eng - angličtina |
| Vědní obor | 10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.) |
| Rok uplatnění | 2022 |
| Kód důvěrnosti údajů | S - Úplné a pravdivé údaje o výsledku nepodléhající ochraně podle zvláštních právních předpisů. |
| Počet výskytů výsledku | 1 |
| Počet tvůrců celkem | 7 |
| Počet domácích tvůrců | 1 |
| Výčet všech uvedených jednotlivých tvůrců | Alireza Kashir (státní příslušnost: IR - Íránská islámská republika, domácí tvůrce: A, orcid: 0000-0002-6330-0444) H. Hwang (státní příslušnost: KR - Korejská republika) H. Jang (státní příslušnost: KR - Korejská republika) H. Kim (státní příslušnost: KR - Korejská republika) S. Lee (státní příslušnost: KR - Korejská republika) S. Oh (státní příslušnost: KR - Korejská republika) M. Yadav (státní příslušnost: KR - Korejská republika) |
| Popis výsledku v anglickém jazyce | Hf0.5 Zr 0.5 O 2 (HZO) is an appropriate material for the back-end-of-line (BEOL) process in fabricating ferroelectric TiN/HZO/TiN devices because of its excellent conformality on 3D nanostructures and a suitable crystallization temperature ( 350 °C–400 °C). However, in the semiconductor industry, the deposition temperature of TiN is usually higher than 400 °C. Therefore, it is necessary to study the ferroelectric properties of TiN/HZO/TiN devices when the deposition temperature of the TiN top electrode is higher than the HZO film crystallization temperature. In this study, 10-nm-thick TiN top electrodes were deposited at various temperatures on the HZO thin film to investigate the impact of the TiN deposition temperature on the structural features and ferroelectric properties of TiN/HZO/TiN capacitors. Only the sample capped with a TiN top electrode deposited at 400 °C showed ferroelectric properties without subsequent annealing (in situ crystallization). |
| Klíčová slova oddělená středníkem | capping layer effect;in situ crystallization;polarization value;deposition temperature;wake-up effect |
| Stránka www, na které se nachází výsledek | https://hdl.handle.net/11104/0342651 |
| DOI výsledku | 10.1088/2632-959X/ac5be5 |
| Odkaz na údaje z výzkumu | - |
Údaje o výsledku v závislosti na druhu výsledku
| Název periodika | Nano Express |
|---|---|
| ISSN | 2632-959X |
| e-ISSN | 2632-959X |
| Svazek periodika | 3 |
| Číslo periodika v rámci uvedeného svazku | 1 |
| Stát vydavatele periodika | GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska |
| Počet stran výsledku | 11 |
| Strana od-do | 015004 |
| Kód UT WoS článku podle Web of Science | 000899232700001 |
| EID výsledku v databázi Scopus | 2-s2.0-85129313902 |
| Způsob publikování výsledku | A - Open Access |
| Předpokládaný termín zveřejnění plného textu výsledku | - |
Ostatní informace o výsledku
| Předkladatel | Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. |
|---|---|
| Dodavatel | AV0 - Akademie věd České republiky (AV ČR ) |
| Rok sběru | 2024 |
| Specifikace | RIV/68378271:_____/22:00571425!RIV24-AV0-68378271 |
| Datum poslední aktualizace výsledku | 16.04.2024 |
| Kontrolní číslo | 192503244 ( v1.0 ) |
Odkazy na výzkumné aktivity, při jejichž řešení výsledek vznikl
| Podpora / návaznosti | Institucionální podpora na rozvoj výzkumné organizace |
|---|