| Identifikační kód |
RIV/68081723:_____/23:00578172 |
| Název v anglickém jazyce |
Recombination activity of threading dislocations in MOVPE-grown AlN/Si {111} films etched by phosphoric acid |
| Druh |
J - Recenzovaný odborný článek (Jimp, Jsc a Jost) |
| Poddruh |
J/A - Článek v odborném periodiku je obsažen v databázi Web of Science společností Thomson Reuters s příznakem „Article“, „Review“ nebo „Letter“ (Jimp) |
| Jazyk |
eng - angličtina |
| Vědní obor |
10301 - Atomic, molecular and chemical physics (physics of atoms and molecules including collision, interaction with radiation, magnetic resonances, Mössbauer effect) |
| Rok uplatnění |
2023 |
| Kód důvěrnosti údajů |
S - Úplné a pravdivé údaje o výsledku nepodléhající ochraně podle zvláštních právních předpisů. |
| Počet výskytů výsledku |
5 |
| Počet tvůrců celkem |
3 |
| Počet domácích tvůrců |
2 |
| Výčet všech uvedených jednotlivých tvůrců |
Roman Gröger (státní příslušnost: CZ - Česká republika, domácí tvůrce: A, vedidk: 9482725, orcid: 0000-0002-7116-2774, researcherid: G-3608-2010)
Jakub Pongrácz (státní příslušnost: CZ - Česká republika, domácí tvůrce: A, vedidk: 9773765, orcid: 0000-0002-4086-5979)
P. Vacek (státní příslušnost: GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska) |
| Popis výsledku v anglickém jazyce |
Epitaxial growth of wurtzite AlN films on Si {111} results in 19% lattice misfit, which gives rise to a large density of threading dislocationsnwith different recombination rates of electron–hole pairs. Here, we investigate types and distributions of threading dislocations of thenMOVPE-grown 200 nm AlN/Si {111} film, whereby the dislocations are visualized using the technique of wet chemical etching. Atomicnforce microscopy suggests the existence of four different types of etch pits without any topological differences. Cross-sectional transmissionnelectron microscope studies on etched samples are employed to associate the types of dislocations with the shapes of their etch pits. Thenrecombination activity of individual dislocations was quantified by measuring the electron beam induced current and by correlativenmeasurement of topography, secondary electron imaging, and the electron beam absorbed current. The strongest recombination activity wasnobtained for the m + c-type (mixed), c-type (screw), and a + c-type (mixed) threading dislocations, whereas the a-type (edge) threadingndislocations were nearly recombination-inactive. |
| Klíčová slova oddělená středníkem |
Crystallographic defects;Crystal lattices;Crystal structure;Epitaxy;Etching;Atomic force microscopy |
| Stránka www, na které se nachází výsledek |
https://pubs.aip.org/aip/jap/article-abstract/134/19/195704/2921456/Recombination-activity-of-threading-dislocations?redirectedFrom=fulltext |
| DOI výsledku |
10.1063/5.0171937 |
| Odkaz na údaje z výzkumu |
- |