| Identifikační kód |
RIV/68081731:_____/09:00335263 |
| Název v anglickém jazyce |
Secondary electron contrast in doped semiconductor with presence of a surface ad-layer |
| Druh |
D - Stať ve sborníku |
| Jazyk |
eng - angličtina |
| Obor - skupina |
J - Průmysl |
| Obor |
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika |
| Rok uplatnění |
2009 |
| Kód důvěrnosti údajů |
S - Úplné a pravdivé údaje o výsledku nepodléhající ochraně podle zvláštních právních předpisů. |
| Počet výskytů výsledku |
2 |
| Počet tvůrců celkem |
3 |
| Počet domácích tvůrců |
3 |
| Výčet všech uvedených jednotlivých tvůrců |
Luděk Frank (státní příslušnost: CZ - Česká republika, domácí tvůrce: A, vedidk: 9000984)
Miloš Hovorka (státní příslušnost: CZ - Česká republika, domácí tvůrce: A, vedidk: 5981689)
Filip Mika (státní příslušnost: CZ - Česká republika, domácí tvůrce: A, vedidk: 2999625) |
| Popis výsledku v anglickém jazyce |
The scanning electron microscopy (SEM) has proven itself efficient for determining dopant concentrations in semiconductors. Image contrast between differently doped areas is observable in the secondary electron emission. Multiple studies have revealed quantitative relations between the image contrast and dopant concentration. However, further examination shows the dopant contrast level of low reproducibility and dependent on additional factors like the primary electron dose, varying energy and angular distributions of the SE emission and also presence of an ad-layer on the semiconductor surface. |
| Klíčová slova oddělená středníkem |
dopant contrast; secondary electrons; semiconductor |
| Stránka www, na které se nachází výsledek |
- |
| Odkaz na údaje z výzkumu |
- |