| Identifikační kód |
RIV/68378271:_____/16:00464298 |
| Název v anglickém jazyce |
FeS2 thin films deposition by reactive high power magnetron sputtering in Ar+H2S gas mixture |
| Druh |
O - Ostatní výsledky, které nelze zařadit do žádného z definovaných druhů výsledků |
| Jazyk |
eng - angličtina |
| Obor - skupina |
B - Fyzika a matematika |
| Obor |
BL - Fyzika plasmatu a výboje v plynech |
| Rok uplatnění |
2016 |
| Kód důvěrnosti údajů |
S - Úplné a pravdivé údaje o výsledku nepodléhající ochraně podle zvláštních právních předpisů. |
| Počet výskytů výsledku |
2 |
| Počet tvůrců celkem |
4 |
| Počet domácích tvůrců |
4 |
| Výčet všech uvedených jednotlivých tvůrců |
Martin Čada (státní příslušnost: CZ - Česká republika, domácí tvůrce: A, vedidk: 9254927)
Zdeněk Hubička (státní příslušnost: CZ - Česká republika, domácí tvůrce: A, vedidk: 2296268)
Štěpán Kment (státní příslušnost: CZ - Česká republika, domácí tvůrce: A, vedidk: 9773185)
Jiří Olejníček (státní příslušnost: CZ - Česká republika, domácí tvůrce: A, vedidk: 4267281) |
| Popis výsledku v anglickém jazyce |
Polycrystalline and nanocrystalline semiconducting iron pyrite FeS2 is recently an attractive material for optoelectronic and photonic applications. Due to its relatively large optical absorption coefficient in the visible region and narrow band gap of 0.95 ev this material can be suitable for applications in photovoltaics, photodetectors and photoelectrochemistry. Semiconducting polycrystalline and nanocrystalline FeS2 thin films were deposited by high power impulse magnetron reactive sputtering system (R-HIPIMS). The magnetron system with SmCo magnets and a pure circular iron target (diameter 50 mm) was used for the impulse reactive sputtering. The gas mixture of Ar and H2S was used for the reactive sputtering process. The partial pressure of H2S in the deposition plasma reactor was changed in a wide range. The substrate was heated during the deposition by an external furnace and the deposition temperature was controlled in the range 300-600 K. |
| Klíčová slova oddělená středníkem |
sputtering;HIPIMS;films;semiconductor;deposition |
| Stránka www, na které se nachází výsledek |
- |
| Odkaz na údaje z výzkumu |
- |