Identifikační kód |
RIV/68378271:_____/16:00478099 |
Název v anglickém jazyce |
Ab initio prediction of stable nanotwin double layers and 4O structure in Ni2MnGa |
Druh |
J - Recenzovaný odborný článek (Jimp, Jsc a Jost) |
Poddruh |
J/A - Článek v odborném periodiku je obsažen v databázi Web of Science společností Thomson Reuters s příznakem „Article“, „Review“ nebo „Letter“ (Jimp) |
Jazyk |
eng - angličtina |
Vědní obor |
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.) |
Rok uplatnění |
2016 |
Kód důvěrnosti údajů |
S - Úplné a pravdivé údaje o výsledku nepodléhající ochraně podle zvláštních právních předpisů. |
Počet výskytů výsledku |
3 |
Počet tvůrců celkem |
4 |
Počet domácích tvůrců |
2 |
Výčet všech uvedených jednotlivých tvůrců |
Oleg Heczko (státní příslušnost: CZ - Česká republika, domácí tvůrce: A, vedidk: 9669450, researcherid: G-9355-2014) Ladislav Straka (státní příslušnost: CZ - Česká republika, domácí tvůrce: A, vedidk: 8802327) A. Sozinov (státní příslušnost: FI - Finská republika) M. Zelený (státní příslušnost: CZ - Česká republika) |
Popis výsledku v anglickém jazyce |
The ab initio electronic structure calculations of the Ni2MnGa alloy indicate that the orthorhombic 4O structure exhibits the lowest energy compared to all known martensitic structures. The 4O structure is formed by nanotwin double layers, i.e., oppositely oriented nanotwins consisting of two (101) lattice planes of nonmodulated martensitic structure. It exhibits the lowest occupation of density of states at the Fermi level. The total energy 1.98 meV/atom below the energy of nonmodulated martensite is achieved within structural relaxation by shifting Mn and Ga atoms at the nanotwin boundaries. |
Klíčová slova oddělená středníkem |
ab initio;magnetic shape memory;martensite;modulation;Ni-Mn-Ga |
Stránka www, na které se nachází výsledek |
- |
DOI výsledku |
10.1103/PhysRevB.94.224108 |
Odkaz na údaje z výzkumu |
- |