Informační systém výzkumu,
vývoje a inovací

Rejstřík informací o výsledcích

Jednoduché vyhledávání

Zpět na hledáníOptoelectronic properties of hydrogenated amorphous substoichiometric silicon carbide with low carbon content deposited at high temperature on semi-transparent boron-doped diamond (2019)výskyt výsledku

Identifikační kód RIV/68378271:_____/19:00511336
Název v anglickém jazyce Optoelectronic properties of hydrogenated amorphous substoichiometric silicon carbide with low carbon content deposited at high temperature on semi-transparent boron-doped diamond
Druh J - Recenzovaný odborný článek (Jimp, Jsc a Jost)
Poddruh J/A - Článek v odborném periodiku je obsažen v databázi Web of Science společností Thomson Reuters s příznakem „Article“, „Review“ nebo „Letter“ (Jimp)
Jazyk eng - angličtina
Vědní obor 10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Rok uplatnění 2019
Kód důvěrnosti údajů S - Úplné a pravdivé údaje o výsledku nepodléhající ochraně podle zvláštních právních předpisů.
Počet výskytů výsledku 3
Počet tvůrců celkem 8
Počet domácích tvůrců 7
Výčet všech uvedených jednotlivých tvůrců Petr Ashcheulov (státní příslušnost: RU - Ruská federace, domácí tvůrce: A, researcherid: H-2004-2014)
Vincent Mortet (státní příslušnost: FR - Francouzská republika, domácí tvůrce: A, researcherid: G-6180-2014)
Aleš Poruba (státní příslušnost: CZ - Česká republika, domácí tvůrce: A, vedidk: 2581108, researcherid: H-2497-2014)
Zdeněk Remeš (státní příslušnost: CZ - Česká republika, domácí tvůrce: A, vedidk: 7166494, orcid: 0000-0002-3512-9256, researcherid: G-9420-2014)
Jiří Stuchlík (státní příslušnost: CZ - Česká republika, domácí tvůrce: A, vedidk: 7483155, researcherid: H-1531-2014)
The-Ha Stuchlíková (státní příslušnost: CZ - Česká republika, domácí tvůrce: A, vedidk: 8509697, researcherid: H-2510-2014)
Andrew Taylor (státní příslušnost: GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska, domácí tvůrce: A, researcherid: G-8893-2014)
K. Dragounová (státní příslušnost: CZ - Česká republika)
Popis výsledku v anglickém jazyce Hydrogenated amorphous substoichiometric silicon carbide (a-Si1-xCx:H) thin films and diodes with low carbon content were prepared from a mixture of H2, SiH4 and CH4 by plasma enhanced chemical vapour deposition at a relatively high temperature of 450C on semi-transparent conductive boron-doped nanocrystalline diamond (B-NCD) with an underlying Ti grid. Vibration spectra indicate that CH4 prevents Si crystallization and confirms an increasing carbon content up to x=0.1 for samples grown with SiH4/CH4 flows up to 1:3. Dark current-voltage characteristics of B-NCD/a-Si1-xCx:H diodes show a rectifying ratio of about four orders at ±1 V. However, under white light illumination an energy conversion efficiency of 4% is limited by a low fill factor, the high serial resistivity of B-NCD electrode and the s-shape near the open circuit voltage.n
Klíčová slova oddělená středníkem silicon carbide;boron-doped diamond;diode;photothermal deflection spectroscopy;Raman spectroscopy;infrared spectroscopy;current-voltage characteristics
Stránka www, na které se nachází výsledek https://doi.org/10.1002/pssa.201900241
DOI výsledku 10.1002/pssa.201900241
Odkaz na údaje z výzkumu -

Údaje o výsledku v závislosti na druhu výsledku

Název periodika Physica Status Solidi. A
ISSN 1862-6300
e-ISSN -
Svazek periodika 216
Číslo periodika v rámci uvedeného svazku 21
Stát vydavatele periodika DE - Spolková republika Německo
Počet stran výsledku 6
Strana od-do 1-6
Kód UT WoS článku podle Web of Science 000483266600001
EID výsledku v databázi Scopus 2-s2.0-85071032379
Způsob publikování výsledku C - Omezený přístup (Restricted Access)
Předpokládaný termín zveřejnění plného textu výsledku -

Ostatní informace o výsledku

Předkladatel Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
Dodavatel AV0 - Akademie věd České republiky (AV ČR )
Rok sběru 2020
Specifikace RIV/68378271:_____/19:00511336!RIV20-AV0-68378271
Datum poslední aktualizace výsledku 06.05.2020
Kontrolní číslo 192167785 ( v1.0 )

Informace o dalších výskytech výsledku dodaného stejným předkladatelem

Dodáno MŠMT v roce 2020 RIV/68378271:_____/19:00511336 v dodávce dat RIV20-MSM-68378271/01:2
Dodáno GA ČR v roce 2020 RIV/68378271:_____/19:00511336 v dodávce dat RIV20-GA0-68378271/01:2

Odkazy na výzkumné aktivity, při jejichž řešení výsledek vznikl

Podpora / návaznosti Institucionální podpora na rozvoj výzkumné organizace
Vyhledávání ...