Zpět na hledáníOptoelectronic properties of hydrogenated amorphous substoichiometric silicon carbide with low carbon content deposited at high temperature on semi-transparent boron-doped diamond (2019)výskyt výsledku
Identifikační kód | RIV/68378271:_____/19:00511336 |
---|---|
Název v anglickém jazyce | Optoelectronic properties of hydrogenated amorphous substoichiometric silicon carbide with low carbon content deposited at high temperature on semi-transparent boron-doped diamond |
Druh | J - Recenzovaný odborný článek (Jimp, Jsc a Jost) |
Poddruh | J/A - Článek v odborném periodiku je obsažen v databázi Web of Science společností Thomson Reuters s příznakem „Article“, „Review“ nebo „Letter“ (Jimp) |
Jazyk | eng - angličtina |
Vědní obor | 10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.) |
Rok uplatnění | 2019 |
Kód důvěrnosti údajů | S - Úplné a pravdivé údaje o výsledku nepodléhající ochraně podle zvláštních právních předpisů. |
Počet výskytů výsledku | 3 |
Počet tvůrců celkem | 8 |
Počet domácích tvůrců | 7 |
Výčet všech uvedených jednotlivých tvůrců | Petr Ashcheulov (státní příslušnost: RU - Ruská federace, domácí tvůrce: A, researcherid: H-2004-2014) Vincent Mortet (státní příslušnost: FR - Francouzská republika, domácí tvůrce: A, researcherid: G-6180-2014) Aleš Poruba (státní příslušnost: CZ - Česká republika, domácí tvůrce: A, vedidk: 2581108, researcherid: H-2497-2014) Zdeněk Remeš (státní příslušnost: CZ - Česká republika, domácí tvůrce: A, vedidk: 7166494, orcid: 0000-0002-3512-9256, researcherid: G-9420-2014) Jiří Stuchlík (státní příslušnost: CZ - Česká republika, domácí tvůrce: A, vedidk: 7483155, researcherid: H-1531-2014) The-Ha Stuchlíková (státní příslušnost: CZ - Česká republika, domácí tvůrce: A, vedidk: 8509697, researcherid: H-2510-2014) Andrew Taylor (státní příslušnost: GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska, domácí tvůrce: A, researcherid: G-8893-2014) K. Dragounová (státní příslušnost: CZ - Česká republika) |
Popis výsledku v anglickém jazyce | Hydrogenated amorphous substoichiometric silicon carbide (a-Si1-xCx:H) thin films and diodes with low carbon content were prepared from a mixture of H2, SiH4 and CH4 by plasma enhanced chemical vapour deposition at a relatively high temperature of 450C on semi-transparent conductive boron-doped nanocrystalline diamond (B-NCD) with an underlying Ti grid. Vibration spectra indicate that CH4 prevents Si crystallization and confirms an increasing carbon content up to x=0.1 for samples grown with SiH4/CH4 flows up to 1:3. Dark current-voltage characteristics of B-NCD/a-Si1-xCx:H diodes show a rectifying ratio of about four orders at ±1 V. However, under white light illumination an energy conversion efficiency of 4% is limited by a low fill factor, the high serial resistivity of B-NCD electrode and the s-shape near the open circuit voltage.n |
Klíčová slova oddělená středníkem | silicon carbide;boron-doped diamond;diode;photothermal deflection spectroscopy;Raman spectroscopy;infrared spectroscopy;current-voltage characteristics |
Stránka www, na které se nachází výsledek | https://doi.org/10.1002/pssa.201900241 |
DOI výsledku | 10.1002/pssa.201900241 |
Odkaz na údaje z výzkumu | - |
Údaje o výsledku v závislosti na druhu výsledku
Název periodika | Physica Status Solidi. A |
---|---|
ISSN | 1862-6300 |
e-ISSN | - |
Svazek periodika | 216 |
Číslo periodika v rámci uvedeného svazku | 21 |
Stát vydavatele periodika | DE - Spolková republika Německo |
Počet stran výsledku | 6 |
Strana od-do | 1-6 |
Kód UT WoS článku podle Web of Science | 000483266600001 |
EID výsledku v databázi Scopus | 2-s2.0-85071032379 |
Způsob publikování výsledku | C - Omezený přístup (Restricted Access) |
Předpokládaný termín zveřejnění plného textu výsledku | - |
Ostatní informace o výsledku
Předkladatel | Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. |
---|---|
Dodavatel | AV0 - Akademie věd České republiky (AV ČR ) |
Rok sběru | 2020 |
Specifikace | RIV/68378271:_____/19:00511336!RIV20-AV0-68378271 |
Datum poslední aktualizace výsledku | 06.05.2020 |
Kontrolní číslo | 192167785 ( v1.0 ) |
Informace o dalších výskytech výsledku dodaného stejným předkladatelem
Dodáno MŠMT v roce 2020 | RIV/68378271:_____/19:00511336 v dodávce dat RIV20-MSM-68378271/01:2 |
---|---|
Dodáno GA ČR v roce 2020 | RIV/68378271:_____/19:00511336 v dodávce dat RIV20-GA0-68378271/01:2 |
Odkazy na výzkumné aktivity, při jejichž řešení výsledek vznikl
Podpora / návaznosti | Institucionální podpora na rozvoj výzkumné organizace |
---|